洛阳1260液相设备哪里好承诺守信「科鲁斯特」
产品编号:2781119918
更新时间:2024-07-05 12:51:20
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苏州科鲁斯特测控科技有限公司
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( 贾宏艺 先生)
内容:这对器件几乎没有任何影响,因此可以用纯金、纯银作为溶剂,分别在400℃ ,845℃左右进行低温外延生长.不过太高的溶解度会引起淀积速率不易控制和熔体内自发成核等问题 [1] .硅LPE系统:LPE技术发展到现在,其广泛采用的系统是改进的浸渍系统和滑动舟系统,近期报道一种新颖的旋转坩埚系统(离心系统)也值得注意 [1] .苏州科鲁斯特测控科技有限公司苏州科鲁斯特测控科技有限公司
LPE的硅外延层,以其良好的电学、光学及其生长特性,而在CVD无法胜任的领域应用前景诱人.目前,取得较为成功的方面有:(1)垂直沟道的场控制器件中的埋栅制造及沟道的外延再填;(2)太阳能电池;(3)超晶格器件;(4)三维集成技术 [1] .场控制器件:CVD在硅器件的埋结制造中,因自掺杂而出现埋层尺寸增加,密排栅极叉指制造也受到严重影响,而LPE因其可以消除自掺杂,而在这方面得到应用,尤其对硼扩散的埋栅区域的埋结制造,其优点更为明显 [1] .
由上式可以看出分配系数和温度呈反比,升高温度,分配系数变小,组分在固定相的浓度减小,可缩短出峰时间。分配比κ又称容量因子,它是在一定温度和压力下,组分在两相间分配达平衡时,分配在固定相和流动相中的质量比κ=ms/mm,κ越大说明组分在固定相中的量越多,相当于柱的容量越大,因此又称分配容量比或容量因子。它是衡量色谱柱对被分离组分保留能力的重要参数。κ也决定于组分及固定相热力学性质,他不仅随柱温、柱压变化而变化,而且还与流动相及固定相体积有关。
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